EMB28C03G (B28C03) – Komplementarna para tranzystorów MOSFET N-Channel + P-Channel Logic Level, SOP-8

Opis produktu

EMB28C03G, oznaczany również kodem B28C03, to wysokiej jakości komplementarna para tranzystorów MOSFET typu N-Channel oraz P-Channel zamknięta w jednej kompaktowej obudowie SOP-8. Układ został zaprojektowany z myślą o nowoczesnych urządzeniach elektronicznych wymagających niewielkich wymiarów, wysokiej sprawności oraz bezpośredniego sterowania z mikrokontrolerów pracujących z napięciem 3,3 V lub 5 V.

Połączenie tranzystora N-MOS oraz P-MOS w jednym układzie pozwala znacznie uprościć projektowanie urządzeń elektronicznych. EMB28C03G doskonale sprawdza się jako element mostków H, przełączników zasilania, układów ładowania akumulatorów, sterowników silników, przetwornic DC/DC oraz wszędzie tam, gdzie wymagane jest szybkie i energooszczędne przełączanie napięcia dodatniego i ujemnego.

Dzięki bardzo niskiej rezystancji kanału tranzystory charakteryzują się niewielkimi stratami mocy oraz małym nagrzewaniem podczas pracy. Układ może przewodzić prąd do 7 A dla tranzystora N-Channel oraz 6 A dla tranzystora P-Channel, przy maksymalnym napięciu pracy odpowiednio 30 V i −30 V.

Najważniejsze zalety

• komplementarna para tranzystorów N-MOS + P-MOS w jednej obudowie,
• sterowanie Logic Level – współpraca z mikrokontrolerami 3,3 V i 5 V,
• niewielka rezystancja przewodzenia ograniczająca straty mocy,
• szybkie przełączanie dzięki małemu ładunkowi bramki,
• niewielkie rozmiary obudowy SOP-8,
• element zgodny z RoHS – bezołowiowy i bezhalogenowy,
• idealny do projektów profesjonalnych oraz hobbystycznych.

Parametry techniczne

Tranzystor N-Channel

• napięcie dren–źródło (VDS): 30 V
• prąd ciągły (ID): 7 A
• rezystancja RDS(on): 28 mΩ (maks.)

Tranzystor P-Channel

• napięcie dren–źródło (VDS): −30 V
• prąd ciągły (ID): −6 A
• rezystancja RDS(on): 45 mΩ (maks.)

Pozostałe parametry

• typ: MOSFET Enhancement Mode
• napięcie bramka–źródło: ±20 V
• obudowa: SOP-8
• zakres temperatur pracy: −55°C do +150°C
• technologia Logic Level
• montaż SMD.

Typowe zastosowania

EMB28C03G znajduje zastosowanie między innymi w:

• mostkach H do sterowania silnikami DC,
• elektronicznych przełącznikach zasilania,
• przetwornicach impulsowych DC/DC,
• sterownikach pomp, elektrozaworów i wentylatorów,
• ładowarkach oraz układach zarządzania akumulatorami,
• urządzeniach IoT,
• automatyce przemysłowej,
• sterownikach LED,
• zasilaczach impulsowych,
• urządzeniach opartych o Arduino, ESP32, STM32, AVR, PIC i inne mikrokontrolery.

Dlaczego warto wybrać EMB28C03G?

Zastosowanie komplementarnej pary MOSFET-ów w jednej obudowie pozwala ograniczyć liczbę elementów na płytce PCB, zmniejszyć koszty produkcji oraz uprościć projektowanie układów elektronicznych. Dzięki niewielkiej rezystancji kanału i możliwości bezpośredniego sterowania z mikrokontrolerów układ zapewnia wysoką sprawność, szybkie przełączanie i dużą niezawodność.

EMB28C03G jest doskonałym wyborem zarówno dla producentów urządzeń elektronicznych, serwisów, konstruktorów automatyki, jak i hobbystów projektujących własne układy elektroniczne.